厦门格睿伟业电子科技有限公司高导热率氮化铝ALN陶瓷基板导热系数高达170-230W/m・K,是氧化铝基板的8-10 倍,可快速导出大功率器件热量。
绝缘耐压≥15kV/mm,热膨胀系数与硅芯片高度匹配,能有效降低热应力。兼具高强度、耐酸碱腐蚀特性,是5G基站、功率半导体等高端领域的核心散热封装材料。
氮化铝加热片依托材料高热导率(可达 180W/m・K 以上)、耐高温、绝缘性优、热膨胀系数与硅匹配等特性,可实现快速均匀加热、精准控温(温差≤±3℃),长期高温运行稳定无变形、无开裂,广泛适配半导体 CVD/ALD 设备、3D 打印喷头、新能源热管理、医疗仪器等场景。
阅读更多发送询问厦门格睿伟业是一家专业生产和销售氮化铝片TO-220/TO-247/3P/264的工厂和供应商。 氮化铝是以氮化铝为主晶的陶瓷。最高稳定性可达2200°C。常温下强度较高,随着温度的升高强度缓慢下降。导热性能好,热膨胀系数小,是一种良好的抗热震材料。较强的抗熔融金属侵蚀能力使其成为理想的大规模集成电路散热基板和封装材料。
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